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企业动态
1月5日，广晟集团控股上市公司国星光电作为A级单位参编的《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》《2022氮化镓功率与射频产业调研白皮书》在行家说第三代半导体SiC和GaN先进技术发展及应用研讨会上发布。
两本产业调研白皮书重点围绕SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）发展现状、产能、产品特点、技术动向、发展趋势等热点话题进行全面详细梳理和深入剖析。凭借在第三代半导体领域积累的实战经验和扎实的创新研发能力，国星光电在两本白皮书中详细展示了最新的产品布局及创新技术的应用场景。
2019年，国星光电研究院正式启动组建功率器件实验室及功率器件产线工作，朝着高可靠性及高品质的“三代半功率器件封测企业”的方向奋力前行。经过产品技术迭代升级，国星光电SiC和GaN产品线不断扩展，以智能化、模块化、定制化、高端化为方向，与多家知名厂商建立良好的合作关系，逐步打造品类丰富、品质上乘的产品布局。
覆盖多个应用领域的产品类型
SiC分立器件产品
国星光电SiC功率分立器件已形成SiC-SBD、SiC-MOSFET两条拳头产品线，拥有TO-247封装、TO-220封装、TO-263封装、TO-252封装、DFN5*6等五种封装结构。其中，SiC-SBD重点推广到黑白家电等领域；SiC-MOSFET可用于光伏逆变、储能、充电桩、大型驱动、UPS不间断电源等工业级领域，并向车规领域靠拢；以TO-247-4L为封装形式的NSiC-KS系列产品，在开关损耗、开通损耗、开关频率等方面优势明显，可为新能源市场提供更优的技术解决方案。
SiC模块产品
基于数字化验证技术，国星光电推出了多款高可靠性SiC功率模块，并规划出NS34m、NS62m、NSEAS、NSECO等4个系列可量产的标准封装类型产品，可应用于太阳能发电、新能源汽车、新能源动车、电网传输、风力发电等领域。其中，NS62m功率模块新品依托SiC MOSFET芯片的优异性能，在降低系统成本、提升系统效率等方面表现出色，系列产品可响应不同封装及规格的SiC功率模块定制开发需求。
GaN器件产品
瞄准照明及大功率驱动市场，国星光电建成DFN5*6和DFN8*8两大类GaN器件产品线，推出E-mode系列产品与Cascode系列产品，可根据客户需求提供定制化技术解决方案。特别是结合LED原有的下游应用市场，国星光电开发出多款使用SIP封装（System In Pakage系统级封装）的电源管理IC，丰富GaN-IC产品线，可在LED驱动电源、LED显示器驱动电源、墙体插座快充、移动排插快充等领域得以应用。
（部分配图来源：unsplash）
